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本文目录一览：
- 1、多晶硅生产流程是什么?
- 2、多晶硅生产工艺(从石英矿到太阳能电池的制造)
- 3、多晶硅料除碳剂有哪些
- 4、有谁知道有关多晶硅管道焊接规范,氩电联焊的依据?
- 5、多晶硅化验为什么检测氩气
- 6、多晶硅是如何生长的?
多晶硅生产流程是什么?
1、多晶硅生产工艺流程如下：石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。
2、熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
3、净化后的三氯氢硅***用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。
4、多晶硅的生产需要用到高纯度的石英矿，因此首先需要对石英矿进行开采和精炼。石英矿开***一般分为露天开***和地下开***两种方式。开***完成后，需要对石英矿进行精炼，主要包括磨浆、浮选、干燥等步骤。
5、多晶硅还原是制备单晶硅的关键工艺之一。其主要流程如下： 原料准备：***用高品质的多晶硅（Si）块或片，经过清洁、研磨和酸洗等工序，确保其纯度和表面质量。
多晶硅生产工艺(从石英矿到太阳能电池的制造)
1、据报道，该方法所形成的绒面对700～1030微米光谱范围有明显的减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。
2、硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。
3、丝网印刷工艺在太阳电池的生产中将会得到更加普遍的应用。a.发射区的形成利用丝网印刷形成PN结，代替常规的管式炉扩散工艺。一般在多晶硅的正面印刷含磷的浆料、在反面印刷含铝的金属浆料。
4、冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。
5、多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳能电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。
6、目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
多晶硅料除碳剂有哪些
德国巴斯夫除碳剂是专门针对积碳问题研发的产品，能够有效地清除积碳，提高发动机性能和燃油效率。
好。车贝尔的主要成分为聚醚胺（PEA），它是一种高分子材料，耐高温、不易挥发。对积碳有很强力的清洁作用。
聚醚胺清洁作用：车贝尔除碳剂的主要成分是聚醚胺，这是一种高分子材料，具有优异的耐高温性和稳定性。能够在发动机运行时深入到燃烧室内部，与积碳物质进行化学反应。
根据太平洋汽车网查询，沃尔斯利除碳剂对车辆发动机无害，适用于汽车零部件的脱脂清洗，能保持金属材料原有的光亮。该清洁剂为中性清洁剂，能快速去除金属表面的油污。除碳剂清除发动机积碳能力强，可替代汽油、煤油和有机溶剂。
除碳剂适用于汽车零部件的脱脂清洗，能保持金属材料原有的光亮。本品为中性清洁剂，能快速去除金属表面的油污。除碳剂清除发动机积碳能力强，可替代汽油、煤油和有机溶剂。该除碳剂使用寿命长，无残留，易冲洗。
在压缩空气的作用下，本品能迅速产生大量泡沫，覆盖整个燃烧室，并达到携带积碳的功能*把拆卸下来的火花塞放在本品中浸泡，也能很快清除粘附其上的积碳 目前除碳方法大致有两种：1。传统操作。
有谁知道有关多晶硅管道焊接规范,氩电联焊的依据?
1、建筑焊接规范。氩电联焊就是氩弧焊打底，电焊条填充盖面。氩弧焊打底的一般管道内部都干净，也能保证一定的质量，气孔一眼就能看到。
2、氩弧焊打底焊第一遍，均匀细致，防漏。电焊走第二遍，满焊即可。工艺要求同氩弧焊与电焊的工艺要求，无夹渣气孔裂纹等。如果对焊口要求条件较高时，应***用X射线[_a***_]，成本会增加。
3、氩弧焊：壁厚小于等于6mm的管子***用氩弧焊接。氩弧焊也就是所谓的氩气保护焊，通过***用氩弧焊可以获得理想的焊接接头，并且焊缝外表美观，工程质量有保证。
4、国内外管线常用的焊接技术国外管道焊接施工经历了手工焊和自动焊的发展历程。手工焊主要为纤维素焊条下向焊和低氢焊条下向焊。在管道自动焊方面，前苏联研制的管道闪光对焊机，在前苏联时期累计焊接大口径管道数万公里。
多晶硅化验为什么检测氩气
1、氩气的主要作用是降低多晶硅料表面的氧化物含量并去除表面脏污，从而提高多晶硅料的电学性质。
2、原因：事实上“中空玻璃”并不“空”，按技术要求中空玻璃的两层间距一般为8mm，试验证明，如果8mm的间距完全真空，大气压力会将玻璃压碎，故合格的中空玻璃。其夹层亦即8mm厚的间距空间必须填充惰性气体氩和氪。
3、我猜是由于氩气流量过大的缘故。由于图中变***域是盖板上氩气进气的区域，可以推断与氩气有一定关系。而氩气在铸锭炉中的重要指标既是其流速。
多晶硅是如何生长的?
1、在炉内，原料气体发生化学反应，产生硅化合物。这些硅化合物在高温下分解，并在硅基体表面沉积形成多晶硅薄膜。反应物通过排气系统排出炉外。
2、多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
3、净化后的三氯氢硅***用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H_气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl_+H_→Si+HCl。
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